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恐慌追價 NAND Flash飆漲2成~~轉貼蘋果日報

【財經中心╱綜合報導】受到日本東北大地震衝擊，記憶體市場出現恐慌追價，儲存型快閃記憶體（NAND Flash）現貨價昨天飆漲近2成；動態隨機存取記憶體（Dynamic Random Access Memory，DRAM）現貨價也強漲約7%。
矽晶圓供應吃緊

日本宮城外海上周五發生大地震造成核電廠爆炸，導致供電吃緊而開始分區限電，衝擊矽晶圓短期供應吃緊，亞洲區DRAM與NAND Flash記憶體廠力晶、三星及海力士等因而紛紛停止報價。
因此，在市場預期漲價的心理激勵之下，DRAM與NAND Flash昨天早盤報價即同步開高，晚間收盤時報價漲幅更進一步擴大。
DRAM價強漲約7%

根據集邦科技調查，DDR3 2Gb顆粒現貨均價達2.14美元，較上周5上漲7.29%；DDR3 2Gb eTT（有效測試顆粒）均價為1.95美元，上漲6.75%。
價格走勢難評估

NAND Flash方面，市場主流的32Gb MLC現貨均價更是一舉彈升至6美元關卡之上，達6.06美元，大漲20.48%；32Gb TLC現貨均價也攀高至4.95美元，上漲19.85%。
業者表示，DRAM與NAND Flash產品現貨價昨天同步走揚，主要是市場恐慌心理影響；由於目前日本供應鏈受創情況依然混沌不明，因此，產品價格後續走勢仍難以評估。
20110315